TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应用
字号:T|T
TK10A60D场效应晶体管MOS管参数:
低漏极 - 源极导通电阻:RDS(ON)=0.62Ω(典型值)
高正向传输导纳:| Yfs | = 6.0 S(典型值)
低漏电流:IDSS =10μA(VDS = 600 V)
增强模式:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
TK10A60D绝对最大额定值:

注意:在重负载下连续使用(例如高温/电流/电压的应用和温度的显着变化等)可能导致该产品的可靠性显着降低如果操作条件(即操作温度/电流/电压等)在绝对最大值内收视率.
TK10A60D热特性:

TK10A60D电气特性(Ta = = 25°C):

TK10A60D源漏评级和特性(Ta = = 25°C)

如果需要产品TK10A60D的详细手册或其他资料,请向美女操逼APP申请。>>
同类文章排行
- 芯龙12V/5A DC/DC低成本电源芯片方案-XL150
- 一款适配器的AC-DC转换芯片介绍-SD4873
- TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应
- PN8147内置MOS管AC-DC电源适配器IC方案-芯
- UC3842的占空比调节-美女操逼APP电子
- SF6773 650V功率电源手机充电器芯片
- UC3842当中2脚的使用-美女操逼APP电子
- 美女操逼APP电子5V转12V升压芯片-XL6019
- NCE现货n沟道mos管NCE6003Y磁场应管SOT23-3
- 4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3